场效应晶体管(FET):一种利用电场来控制半导体沟道导电能力的晶体管。它通过栅极(gate)电压调节源极(source)与漏极(drain)之间的电流,常用于放大、开关与集成电路中。(常见类型包括 JFET 与 MOSFET。)
/ˈfiːld ɪˈfekt trænˈzɪstər/
A field-effect transistor can act as a fast electronic switch.
场效应晶体管可以充当快速的电子开关。
In modern processors, billions of field-effect transistors are integrated onto a single chip to control signals with very low power consumption.
在现代处理器中,数十亿个场效应晶体管被集成在一块芯片上,用很低的功耗来控制信号。
该词由 field(电场)+ effect(效应)+ transistor(晶体管)组成,字面意思是“由电场效应控制的晶体管”。其核心思想是用电场改变载流子分布,从而调节导电沟道的电导。相关概念在20世纪早期已有设想(如Lilienfeld的专利思路),而在半导体工艺成熟后,FET(尤其是MOSFET)成为集成电路的关键器件。